Kioxia推出UFS 4.1版本內建式快閃記憶體裝置樣品

東京--(BUSINESS WIRE)--(美國商業資訊)-- 全球儲存解決方案領導者Kioxia Corporation今日宣布，已開始提供全新的通用快閃記憶體儲存⁽²⁾ (UFS) 4.1版本內建式存放裝置樣品，進一步鞏固其在高效能儲存領域的領先地位。這些新裝置專為滿足下一代行動應用程式的需求而設計，包括搭載裝置端AI的先進智慧型手機，它在小型BGA封裝中實現了效能提升與更高的能效⁽³⁾。

Kioxia的UFS 4.1版本裝置在JEDEC標準封裝中整合了公司創新的BiCS FLASH™ 3D快閃記憶體和控制器。這些全新UFS裝置採用Kioxia第8代BiCS FLASH™ 3D快閃記憶體⁽¹⁾打造。該代產品引進了CBA（CMOS直接貼合陣列）技術——這一架構創新代表快閃記憶體設計的重大飛躍。透過將CMOS電路直接貼合至儲存陣列，CBA技術大幅提升了能效、效能和儲存密度。

Kioxia的UFS 4.1版本裝置兼具高速與低功耗特性，旨在提升使用者體驗，實現更快的下載速度和更流暢的應用程式運行表現。

核心特性包括：

• 提供256 GB、512 GB和1 TB三種容量選擇
• 效能較上一代產品提升⁽³⁾：
  • 隨機寫入：512 GB / 1 TB版本提升約30%
  • 隨機讀取：512 GB版本提升約45%，1 TB版本提升約35%
• 能效較上一代產品提升⁽³⁾：
  • 讀取：512 GB / 1 TB版本提升約15%
  • 寫入：512 GB / 1 TB版本提升約20%
• 支援主機起始的磁碟重組功能，可延遲垃圾回收，確保關鍵場景下的持續高速效能
• 寫入加速(WriteBooster)緩衝區可調整大小，為最佳化效能提供更高靈活性
• 符合UFS 4.1版本標準
• 1 TB型號的封裝高度較上一代產品有所降低⁽⁴⁾
• 採用Kioxia第8代BiCS FLASH™ 3D快閃記憶體⁽¹⁾

相關連結：
Kioxia UFS 4.1產品頁面
https://www.kioxia.com/en-jp/business/memory/mlc-nand/ufs4.html

註：
(1) 僅適用於512 GB / 1 TB型號。
(2) 通用快閃記憶體儲存(UFS)是一類符合JEDEC UFS標準規範的內建式儲存產品。憑藉序列介面，UFS支援全雙工模式，可實現主機處理器與UFS裝置之間的併發讀寫。
(3) 分別相較上一代512 GB裝置「THGJFMT2E46BATV」和1 TB裝置「THGJFMT3E86BATZ」（僅適用於512 GB / 1 TB型號）。
(4) 上一代1 TB裝置型號為「THGJFMT3E86BATZ」。

*在每次提及Kioxia產品時：產品密度是根據產品內部儲存晶片的密度確定，而非終端用户可用於資料儲存的記憶體容量。由於存在冗餘數據區、格式化、壞塊及其他限制，消費者可使用的容量會更少，且可能因主機裝置和應用程式的不同而有所差異。詳情請參考相關產品規格。1 KB定義為2^10位元組=1,024位元組。1 Gb定義為2^30比特=1,073,741,824比特。1 GB定義為2^30位元組=1,073,741,824位元組。1 Tb=2^40比特=1,099,511,627,776比特。1 TB=2^40位元組=1,099,511,627,776位元組。

*讀寫速度為Kioxia Corporation在特定測試環境下獲得的最佳值，Kioxia Corporation不對單個裝置的讀寫速度做出保證。實際讀寫速度可能因所用裝置及讀寫文件大小而有所不同。

*公司名稱、產品名稱和服務名稱可能第三方公司的商標。

關於Kioxia
Kioxia是全球儲存解決方案領導者，致力於快閃記憶體和固態硬碟(SSD)的開發、生產和銷售。其前身Toshiba Memory於2017年4月從1987年發明NAND快閃記憶體的公司Toshiba Corporation分拆而出。Kioxia致力於透過提供產品、服務和系統來為客戶創造選擇，並為社會創造基於儲存技術的價值，從而提升世界的「記憶」。Kioxia創新的3D快閃記憶體技術BiCS FLASH™正在塑造儲存技術在高密度應用領域（包括先進智慧型手機、PC、SSD、汽車系統、資料中心和生成式AI系統）的未來。

客戶查詢：
Kioxia Corporation
全球銷售辦事處
https://www.kioxia.com/en-jp/business/buy/global-sales.html

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